简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMG4800LFG-7
- 价格 起订量
- ￥ 4.94914 1+
- ￥ 4.66900 10+
- ￥ 4.40471 100+
- ￥ 4.15539 500+
- ￥ 3.92018 1000+
- 型号： DMG4800LFG-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerUDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 50
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.94914
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerUDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.44A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：940mW Ta
- Turn Off Delay Time：26.33 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Digi-Reel®
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：5.03 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：17m Ω @ 9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：798pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.47nC @ 5V
- 上升时间：4.5ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：8.55 ns
- 连续放电电流(ID)：7.44A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated
NTLTD7900ZR2G ON Semiconductor
DMP2018LFK-7 Diodes Incorporated
DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated
DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated
