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单MOSFET晶体管 / IPG20N06S2L65ATMA1
- 价格 起订量
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- 型号： IPG20N06S2L65ATMA1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 96530
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 表面安装：YES
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：PG-TDSON-8-4
- 晶体管元件材料：SILICON
- 包装数量：5000
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Number of Elements：2
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：10 ns
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Qualification：AEC-Q101
- Transistor Polarity：N通道
- Continuous Drain Current Id：20A
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Base Product Number：IPG20N
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：活跃
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 14µA
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPG20N06S2L65ATMA1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：1.59
- Drain Current-Max (ID)：20 A
- 包装：Tape & Reel
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Production (Last Updated: 2 years ago)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：175 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：43 W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PDSO-F
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：43 W
- 接通延迟时间：2 ns
- 功率 - 最大：43W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：65mOhm @ 15A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：410pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 10V
- 上升时间：3 ns
- 漏源电压 (Vdss)：55 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：20 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 最大双电源电压：55 V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.065 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：80 A
- 输入电容：410 pF
- DS 击穿电压-最小值：55 V
- 信道型：Dual N
- 雪崩能量等级（Eas）：40 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：53 mΩ
- 最大rds：65 mΩ
- 通态电阻：65 mΩ
- 达到SVHC：not_compliant
- 无铅：含铅
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