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单MOSFET晶体管 / DMN4020LFDE-7
- 价格 起订量
- ￥ 4.44779 1+
- ￥ 4.19603 10+
- ￥ 3.95852 100+
- ￥ 3.73445 500+
- ￥ 3.52307 1000+
- 型号： DMN4020LFDE-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-UDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET N-CH 40V 6-UDFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.44779
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：22 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：660mW Ta
- Turn Off Delay Time：15.1 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：5.3 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：20m Ω @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1060pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19.1nC @ 10V
- 上升时间：7.1ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4.8 ns
- 连续放电电流(ID)：8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 高度：580μm
- 长度：2.05mm
- 宽度：2.05mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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