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单MOSFET晶体管 / IPA50R399CP
- 价格 起订量
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- 型号： IPA50R399CP
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 50
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：1 Week
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 包装数量：500
- Continuous Drain Current Id：9
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：80 ns
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPA50R399CP
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.78
- Part Package Code：TO-220AB
- Drain Current-Max (ID)：9 A
- 无铅代码：有
- 零件状态：Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
- 终端：通孔
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：FET 通用电源
- 最大功率耗散：83 W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：83
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：35 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 无卤素：无卤素
- 上升时间：14 ns
- 漏源电压 (Vdss)：500 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：9 A
- 阈值电压：3 V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.399 Ω
- 漏源击穿电压：500 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20 A
- 双电源电压：550 V
- 输入电容：890 pF
- DS 击穿电压-最小值：500 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：215 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：31 W
- 漏源电阻：399 mΩ
- 最大rds：399 mΩ
- 栅源电压：3 V
- 通态电阻：399 mΩ
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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