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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN2014LHAB-7
- 价格 起订量
- ￥ 5.20521 1+
- ￥ 4.91058 10+
- ￥ 4.63262 100+
- ￥ 4.37040 500+
- ￥ 4.12302 1000+
- 型号： DMN2014LHAB-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-UFDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 1867
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.20521
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UFDFN Exposed Pad
- 引脚数：7
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A
- Turn Off Delay Time：40.9 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最大功率耗散：800mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 接通延迟时间：6.9 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Rds On(Max)@Id,Vgs：13m Ω @ 4A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1550pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16nC @ 4.5V
- 上升时间：15.5ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：9.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：600μm
- 长度：3.05mm
- 宽度：2.05mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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