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单MOSFET晶体管 / IRF7478TRPBF-1
- 价格 起订量
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- 型号： IRF7478TRPBF-1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：8-SO
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：2.5W (Ta)
- Product Status：Obsolete
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250µA
- Package Description：,
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IRF7478TRPBF-1
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Part Life Cycle Code：生命周期结束
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.29
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：HEXFET®
- ECCN 代码：EAR99
- 子类别：FET 通用电源
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：26mOhm @ 4.2A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1740 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：31 nC @ 4.5 V
- 漏源电压 (Vdss)：60 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：2.5 W
- 场效应管特性：-
- 达到SVHC：compliant
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