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MOSFETs 晶体管阵列 / NTLTD7900ZR2G
- 价格 起订量
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- 型号： NTLTD7900ZR2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-VDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-VDFN Exposed Pad
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：1.87 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：防静电
- 电压 - 额定直流：20V
- 最大功率耗散：1.5W
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：9A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：NTLTD7900Z
- 引脚数量：8
- 资历状况：不合格
- 配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.5W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：26m Ω @ 6.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：15pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：18nC @ 4.5V
- 上升时间：1.17ns
- 下降时间（典型值）：1.17 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.026Ohm
- 漏源击穿电压：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：30A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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