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单MOSFET晶体管 / IRF7410TRPBF-1

  • 价格 起订量
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  • 型号: IRF7410TRPBF-1
  • 厂商: Infineon(英飞凌)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • 描述: Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 3917
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • 表面安装:YES
  • 供应商器件包装:8-SOIC
  • 终端数量:8
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • 包装数量:4000
  • Continuous Drain Current Id:16
  • RoHS:Non-Compliant
  • Package:Tape & Reel (TR)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:16A (Ta)
  • 厂商:Infineon Technologies
  • Power Dissipation (Max):2.5W (Ta)
  • Product Status:Obsolete
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
  • Package Description:SOP-8
  • Package Style:小概要
  • Moisture Sensitivity Levels:1
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:IRF7410TRPBF-1
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:Infineon Technologies AG
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:生命周期结束
  • Ihs Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Risk Rank:5.16
  • Drain Current-Max (ID):16 A
  • 包装:Tape & Reel
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 系列:HEXFET®
  • JESD-609代码:e3
  • 零件状态:Production (Last Updated: 2 years ago)
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
  • 子类别:其他晶体管
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • JESD-30代码:R-PDSO-G8
  • 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 功率耗散:2.5
  • 场效应管类型:P-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:7mOhm @ 16A, 4.5V
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:8676 pF @ 10 V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:91 nC @ 4.5 V
  • 漏源电压 (Vdss):-12 V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 极性/通道类型:P-CHANNEL
  • JEDEC-95代码:MS-012AA
  • 栅极至源极电压(Vgs):8 V
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):16 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.007 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):65 A
  • DS 击穿电压-最小值:12 V
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):2.5 W
  • 最大结点温度(Tj):150 °C
  • 场效应管特性:-
  • 通态电阻:7 mΩ
  • 达到SVHC:compliant

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