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单MOSFET晶体管 / DMP58D0LFB-7
- 价格 起订量
- ¥ 0.69788 1+
- ¥ 0.65838 10+
- ¥ 0.62111 100+
- ¥ 0.58596 500+
- ¥ 0.55279 1000+
- 型号: DMP58D0LFB-7
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: 3-UFDFN
- 描述: Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 1300
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.69788
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:19 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:3-UFDFN
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:180mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):2.5V 5V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):470mW Ta
- Turn Off Delay Time:201.8 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2015
- JESD-609代码:e4
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 附加功能:HIGH RELIABILITY
- 端子位置:BOTTOM
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 引脚数量:3
- 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量:1
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:1.22W
- 箱体转运:DRAIN
- 接通延迟时间:30.7 ns
- 场效应管类型:P-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:8 Ω @ 100mA, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:27pF @ 25V
- 上升时间:84.1ns
- 漏源电压 (Vdss):50V
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):32.2 ns
- 连续放电电流(ID):310mA
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 漏极-源极导通最大电阻:8Ohm
- 漏源击穿电压:-50V
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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