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单MOSFET晶体管 / DMP32D4SFB-7B
- 价格 起订量
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- ￥ 1.78151 1000+
- 型号： DMP32D4SFB-7B
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-UFDFN
- 描述： MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
- 库存地点： 内地
- 库存： 9963
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.24912
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-UFDFN
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：400mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：500mW Ta
- Turn Off Delay Time：31.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：3.6 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.4 Ω @ 200mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：51pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.3nC @ 10V
- 上升时间：8.5ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：20.2 ns
- 连续放电电流(ID)：500mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5A
- 漏源击穿电压：-30V
- 高度：480μm
- 长度：1.08mm
- 宽度：675μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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