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单MOSFET晶体管 / NTLGF3501NT1G
- 价格 起订量
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- 型号： NTLGF3501NT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-VDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 442
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-VDFN Exposed Pad
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.14W Ta
- Turn Off Delay Time：9 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：FETKY™
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：C 弯管
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：3.4A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-XDSO-C6
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.74W
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：90m Ω @ 3.4A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：275pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 4.5V
- 上升时间：13.6ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：13.6 ns
- 连续放电电流(ID)：2.8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.09Ohm
- 漏源击穿电压：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：13.8A
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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