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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN2050LFDB-7
- 价格 起订量
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- ￥ 4.97947 100+
- ￥ 4.69761 500+
- ￥ 4.43171 1000+
- 型号： DMN2050LFDB-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-UDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 600
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.59493
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UDFN Exposed Pad
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：25 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：730mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：S-PDSO-N6
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：5 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：45m Ω @ 5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：389pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 10V
- 上升时间：8ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：8 ns
- 连续放电电流(ID)：3.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.045Ohm
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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