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单MOSFET晶体管 / TP2104N3-G
- 价格 起订量
- ￥ 5.06043 1+
- ￥ 4.77399 10+
- ￥ 4.50376 100+
- ￥ 4.24883 500+
- ￥ 4.00833 1000+
- 型号： TP2104N3-G
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： Trans MOSFET P-CH 40V 0.25A 3-Pin TO-92
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.06043
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 质量：453.59237mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 1mA
- Turn Off Delay Time：5 ns
- Power Dissipation (Max)：740mW Ta
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：175mA Tj
- 已出版：2013
- 包装：Bulk
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：低阈值
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：NOT APPLICABLE
- 资历状况：不合格
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：740mW
- 接通延迟时间：4 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6 Ω @ 500mA, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：60pF @ 25V
- 上升时间：4ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：-250mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：6Ohm
- 漏源击穿电压：-40V
- 宽度：4.19mm
- 长度：5.21mm
- 高度：5.33mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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