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单MOSFET晶体管 / BS170P
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- 型号： BS170P
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： DIODES INC. BS170P MOSFET Transistor, N Channel, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 7
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：Surface Mount, Through Hole
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 质量：453.59237mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：270mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：625mW Ta
- Turn Off Delay Time：10 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：5Ohm
- 电压 - 额定直流：60V
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：270mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：625mW
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5 Ω @ 200mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：60pF @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：270mA
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.27A
- 漏源击穿电压：60V
- 栅源电压：3 V
- 高度：1.1mm
- 长度：3mm
- 宽度：1.4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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