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单MOSFET晶体管 / BS250P
- 价格 起订量
- ￥ 9.16531 1+
- ￥ 8.64652 10+
- ￥ 8.15709 100+
- ￥ 7.69537 500+
- ￥ 7.25978 1000+
- 型号： BS250P
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： E-Line-3
- 描述： MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
- 库存地点： 内地
- 库存： 60000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.16531
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：E-Line-3
- 引脚数：3
- 质量：453.59237mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：230mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：700mW Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：14Ohm
- 电压 - 额定直流：-45V
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-230mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：700mW
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：14 Ω @ 200mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：60pF @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：45V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：230mA
- JEDEC-95代码：TO-92
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 高度：4.01mm
- 长度：4.77mm
- 宽度：2.41mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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