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单MOSFET晶体管 / ZVN3320A
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： ZVN3320A
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23
- 描述： MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 1835
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 包装/外壳：SOT-23
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：200°C
- 包装：Bulk
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流：200V
- 最大功率耗散：625mW
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- JESD-30代码：R-PSIP-W3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：330mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 漏源电压 (Vdss)：200V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：100mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1A
- 漏源击穿电压：200V
- 输入电容：45pF
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：25Ohm
- 最大rds：25 Ω
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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