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单MOSFET晶体管 / ZVN3320ASTOA
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: ZVN3320ASTOA
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-226-3
- 描述: MOSFET N-Chnl 200V
- 库存地点: 内地
- 库存: 1465
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:通孔
- 包装/外壳:TO-226-3
- 引脚数:3
- 质量:1.437803g
- 晶体管元件材料:SILICON
- Number of Elements:1
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2009
- JESD-609代码:e3
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流:200V
- 最大功率耗散:625mW
- 端子位置:SINGLE
- 终端形式:WIRE
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 额定电流:100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 配置:SINGLE
- 通道数量:1
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:330mW
- 晶体管应用:SWITCHING
- 漏源电压 (Vdss):200V
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID):100mA
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 漏源击穿电压:200V
- 输入电容:45pF
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻:25Ohm
- 最大rds:25 Ω
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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