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单MOSFET晶体管 / IRFNL210BTA-FP001
- 价格 起订量
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- 型号： IRFNL210BTA-FP001
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 Long Body
- 描述： MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L
- 库存地点： 内地
- 库存： 705
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 Long Body
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：3.1W Ta
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Box (TB)
- 无铅代码：yes
- 零件状态：LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：200V
- 额定电流：1A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：3.1W
- 接通延迟时间：5.2 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5 Ω @ 500mA, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：225pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.3nC @ 10V
- 上升时间：35ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：25 ns
- 连续放电电流(ID)：1A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：200V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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