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单MOSFET晶体管 / DMN3900UFA-7B
- 价格 起订量
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- ￥ 1.52310 500+
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- 型号： DMN3900UFA-7B
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-XFDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
- 库存地点： 内地
- 库存： 23697
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.81404
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-XFDFN
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：550mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：390mW Ta
- Turn Off Delay Time：80.6 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Digi-Reel®
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：10.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：760m Ω @ 200mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：42.2pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.7nC @ 4.5V
- 上升时间：7.8ns
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：23.4 ns
- 连续放电电流(ID)：650mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.65A
- 漏源击穿电压：30V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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