简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMN62D0LFD-7
- 价格 起订量
- ￥ 0.58220 1+
- ￥ 0.54925 10+
- ￥ 0.51816 100+
- ￥ 0.48883 500+
- ￥ 0.46116 1000+
- 型号： DMN62D0LFD-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-UDFN
- 描述： MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.58220
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-UDFN
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：310mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4V
- Power Dissipation (Max)：480mW Ta
- Turn Off Delay Time：18 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：2.6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2 Ω @ 100mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：31pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：500nC @ 4.5V
- 上升时间：2.1ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8.7 ns
- 连续放电电流(ID)：310mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 高度：480μm
- 长度：1.25mm
- 宽度：1.25mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated
DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated- DMN62D0SFD-7 Diodes Incorporated
DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated
