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单MOSFET晶体管 / FDC638APZ
- 价格 起订量
- ￥ 5.50262 1+
- ￥ 5.19115 10+
- ￥ 4.89731 100+
- ￥ 4.62011 500+
- ￥ 4.35859 1000+
- 型号： FDC638APZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.50262
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：36mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：48 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：43MOhm
- 电压 - 额定直流：-12V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：-4.5A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 资历状况：不合格
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.6W
- 接通延迟时间：6 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：43m Ω @ 4.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1000pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 4.5V
- 上升时间：20ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：-4.5A
- 阈值电压：-800mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：-20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20A
- 双电源电压：-20V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：1.1mm
- 长度：3mm
- 宽度：1.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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