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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRLMS6802TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 4.94914 1+
- ￥ 4.66900 10+
- ￥ 4.40471 100+
- ￥ 4.15539 500+
- ￥ 3.92018 1000+
- 型号： IRLMS6802TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6
- 描述： MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 50
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.94914
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Ta
- Turn Off Delay Time：12 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：100mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-5.6A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：50m Ω @ 5.1A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1079pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16nC @ 5V
- 上升时间：33ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：72 ns
- 连续放电电流(ID)：-5.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：-20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：45A
- 双电源电压：-20V
- 栅源电压：-1.2 V
- 高度：1.4478mm
- 长度：2.9972mm
- 宽度：1.75mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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