图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / FDC602P
- 价格 起订量
- ¥ 5.80950 1+
- ¥ 5.48066 10+
- ¥ 5.17043 100+
- ¥ 4.87777 500+
- ¥ 4.60167 1000+
- 型号: FDC602P
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述: MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
- 库存地点: 内地
- 库存: 23040
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 5.80950
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 触点镀层:Tin
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数:6
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:5.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):2.5V 4.5V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):1.6W Ta
- Turn Off Delay Time:57 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:PowerTrench®
- 已出版:2001
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:6
- 终端:SMD/SMT
- ECCN 代码:EAR99
- 电阻:35MOhm
- 电压 - 额定直流:-20V
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 额定电流:-5.5A
- 通道数量:1
- 电压:20V
- 元素配置:Single
- 电流:55A
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:1.6W
- 接通延迟时间:15 ns
- 场效应管类型:P-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ω @ 5.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1456pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:20nC @ 4.5V
- 上升时间:11ns
- Vgs(最大值):±12V
- 下降时间(典型值):11 ns
- 连续放电电流(ID):-5.5A
- 阈值电压:-900mV
- 栅极至源极电压(Vgs):12V
- 漏源击穿电压:-20V
- 双电源电压:-20V
- 最大结点温度(Tj):150°C
- 栅源电压:-900 mV
- 高度:1.1mm
- 长度:3mm
- 宽度:1.7mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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