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单MOSFET晶体管 / SPD04N50C3ATMA1
- 价格 起订量
- ¥ 11.30954 1+
- ¥ 10.66938 10+
- ¥ 10.06545 100+
- ¥ 9.49571 500+
- ¥ 8.95821 1000+
- 型号: SPD04N50C3ATMA1
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述: Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 88888
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 11.30954
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数:3
- 供应商器件包装:PG-TO252-3-1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):50W Tc
- Turn Off Delay Time:70 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:CoolMOS™
- 已出版:2005
- 零件状态:不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-55°C
- 电压 - 额定直流:560V
- 额定电流:4.5A
- 功率耗散:50W
- 接通延迟时间:10 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:950mOhm @ 2.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 200μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:470pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:22nC @ 10V
- 上升时间:5ns
- 漏源电压 (Vdss):500V
- Vgs(最大值):±20V
- 连续放电电流(ID):4.5A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 最大双电源电压:500V
- 输入电容:470pF
- 漏源电阻:850mOhm
- 最大rds:950 mΩ
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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