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单MOSFET晶体管 / STD9NM40N
- 价格 起订量
- ￥ 13.84658 1+
- ￥ 13.06281 10+
- ￥ 12.32341 100+
- ￥ 11.62586 500+
- ￥ 10.96779 1000+
- 型号： STD9NM40N
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II
- 库存地点： 内地
- 库存： 663987
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.84658
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：MDmesh™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STD9N
- 元素配置：Single
- 功率耗散：60W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：790m Ω @ 2.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：365pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14nC @ 10V
- 上升时间：4.4ns
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：8.8 ns
- 连续放电电流(ID)：5.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：400V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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