简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPD50R800CEATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IPD50R800CEATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 500(Min)V 5A 3-Pin TO-252 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO252-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：13V
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：26 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™ CE
- 已出版：2012
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 接通延迟时间：6.2 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：800mOhm @ 1.5A, 13V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 130μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：280pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12.4nC @ 10V
- 上升时间：5.5ns
- 漏源电压 (Vdss)：500V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：15.9 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 输入电容：280pF
- 最大rds：800 mΩ
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies
FQD5N15TM ON Semiconductor- SPD04P10PGBTMA1 Infineon Technologies
- FQD5N15TF ON Semiconductor
- FDD6632 ON Semiconductor
