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单MOSFET晶体管 / IRFH7440TRPBF

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
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  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: IRFH7440TRPBF
  • 厂商: Infineon Technologies
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: 8-PowerTDFN
  • 描述: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 32000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:12 Weeks
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:8-PowerTDFN
  • 引脚数:8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:85A Tc
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):6V 10V
  • Power Dissipation (Max):104W Tc
  • Turn Off Delay Time:53 ns
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 系列:HEXFET®, StrongIRFET™
  • 已出版:2012
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • ECCN 代码:EAR99
  • 电阻:2.4MOhm
  • 配置:Single
  • 通道数量:1
  • 功率耗散:104W
  • 接通延迟时间:12 ns
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4m Ω @ 50A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:4574pF @ 25V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:138nC @ 10V
  • 上升时间:45ns
  • Vgs(最大值):±20V
  • 下降时间(典型值):42 ns
  • 连续放电电流(ID):85A
  • 阈值电压:2.2V
  • 栅极至源极电压(Vgs):20V
  • 漏源击穿电压:40V
  • 最大结点温度(Tj):150°C
  • 高度:1.05mm
  • 长度:5.85mm
  • 宽度:5mm
  • 达到SVHC:无SVHC
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅