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单MOSFET晶体管 / IRFH7084TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 14.17384 1+
- ￥ 13.37155 10+
- ￥ 12.61467 100+
- ￥ 11.90063 500+
- ￥ 11.22701 1000+
- 型号： IRFH7084TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 25000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.17384
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：64 ns
- Power Dissipation (Max)：156W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 已出版：2007
- 系列：HEXFET®
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.25m Ω @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6560pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：190nC @ 10V
- 上升时间：31ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：34 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 阈值电压：3.9V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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