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单MOSFET晶体管 / IRFH5301TRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 9.84451 1000+
- 型号： IRFH5301TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.42847
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：PQFN (5x6) Single Die
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A Ta 100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.6W Ta 110W Tc
- Turn Off Delay Time：22 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2009
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：1.85MOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 功率耗散：110W
- 接通延迟时间：21 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.85mOhm @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5114pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：77nC @ 10V
- 上升时间：78ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：23 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 阈值电压：1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 输入电容：5.114nF
- 漏源电阻：1.55mOhm
- 最大rds：1.85 mΩ
- 栅源电压：1.8 V
- 高度：850μm
- 长度：6mm
- 宽度：5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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