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单MOSFET晶体管 / DMN62D0LFB-7
- 价格 起订量
- ￥ 2.92996 1+
- ￥ 2.76411 10+
- ￥ 2.60765 100+
- ￥ 2.46005 500+
- ￥ 2.32080 1000+
- 型号： DMN62D0LFB-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-UFDFN
- 描述： Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.92996
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Gold
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-UFDFN
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：470mW Ta
- Turn Off Delay Time：26.4 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：BOTTOM
- 引脚数量：3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：470mW
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：3.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2 Ω @ 100mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：32pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.45nC @ 4.5V
- 上升时间：3.4ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：16.3 ns
- 连续放电电流(ID)：100mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：2Ohm
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：6 pF
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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