图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / IRFS7787PBF
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: IRFS7787PBF
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
- 库存地点: 内地
- 库存: 1593
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:Surface Mount, Through Hole
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数:3
- 质量:3.949996g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:76A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):6V 10V
- Power Dissipation (Max):125W Tc
- Turn Off Delay Time:51 ns
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:HEXFET®
- 已出版:2013
- 零件状态:Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 通道数量:1
- 元素配置:Single
- 功率耗散:125W
- 接通延迟时间:11 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:8.4m Ω @ 46A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:4020pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:109nC @ 10V
- 上升时间:48ns
- 漏源电压 (Vdss):75V
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):39 ns
- 连续放电电流(ID):76A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 高度:4.83mm
- 长度:10.67mm
- 宽度:9.65mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRFS7787PBF Infineon Technologies
AUIRFS3607 Infineon Technologies
IRFS7762TRLPBF Infineon Technologies
HUF75344S3ST ON Semiconductor
IRFS7762PBF Infineon Technologies

