图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / HUF75344S3ST
- 价格 起订量
- ¥ 6.94728 1+
- ¥ 6.55404 10+
- ¥ 6.18305 100+
- ¥ 5.83307 500+
- ¥ 5.50290 1000+
- 型号: HUF75344S3ST
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 库存地点: 内地
- 库存: 37376
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 6.94728
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数:3
- 供应商器件包装:D2PAK (TO-263AB)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:75A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Power Dissipation (Max):285W Tc
- Turn Off Delay Time:46 ns
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:UltraFET™
- 已出版:2004
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最高工作温度:175°C
- 最小工作温度:-55°C
- 电压 - 额定直流:55V
- 额定电流:75A
- 元素配置:Single
- 功率耗散:285W
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:8mOhm @ 75A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:3200pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:210nC @ 20V
- 上升时间:125ns
- 漏源电压 (Vdss):55V
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):57 ns
- 连续放电电流(ID):75A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 漏源击穿电压:55V
- 输入电容:3.2nF
- 漏源电阻:8mOhm
- 最大rds:8 mΩ
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
HUF75344S3ST ON Semiconductor
IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies
IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies

