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单MOSFET晶体管 / NVMFS5C646NLT1G
- 价格 起订量
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- 型号： NVMFS5C646NLT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
- 库存地点： 内地
- 库存： 43543
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：38 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Ta 93A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：3.7W Ta 79W Tc
- Turn Off Delay Time：23.6 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- Reach合规守则：not_compliant
- 配置：Single
- 通道数量：1
- 接通延迟时间：10.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.7m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2164pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33.7nC @ 10V
- 上升时间：14.9ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.1 ns
- 连续放电电流(ID)：93A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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