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单MOSFET晶体管 / NTMFS5C646NLT1G
- 价格 起订量
- ￥ 18.14854 1+
- ￥ 17.12126 10+
- ￥ 16.15213 100+
- ￥ 15.23786 500+
- ￥ 14.37534 1000+
- 型号： NTMFS5C646NLT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 50
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.14854
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.7W Ta 79W Tc
- Turn Off Delay Time：23.6 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：10.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.7m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2164pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33.7nC @ 10V
- 上升时间：14.9ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.1 ns
- 连续放电电流(ID)：19A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0063Ohm
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：750A
- 高度：1.05mm
- 长度：6.1mm
- 宽度：5.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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