单MOSFET晶体管 / IPP60R600P6

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型号： IPP60R600P6
厂商： Infineon(英飞凌)
类别：单MOSFET晶体管
封装： DO-219AB
描述： Transistor MOSFET N-Channel 650V 7.3A Automotive 3-Pin TO-220 Tube
库存地点：内地
库存： 9
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
工厂交货时间：1 Week
安装类型：表面贴装
包装/外壳：DO-219AB
表面安装：NO
供应商器件包装：DO-219AB (SMF)
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Impedance (Max) (Zzt)：2 Ohms
Package：Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
厂商：Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)：63W (Tc)
Product Status：活跃
Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：IPP60R600P6
Package Shape：RECTANGULAR
Manufacturer：Infineon Technologies AG
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：Obsolete
Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank：5.73
操作温度：-65°C ~ 175°C
系列：Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M
包装：Tape & Reel (TR)
容差：--
无铅代码：有
零件状态：活跃
技术：MOSFET (Metal Oxide)
端子位置：SINGLE
终端形式：THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
JESD-30代码：R-PSFM-T3
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
反向泄漏电流@ Vr：10µA @ 3V
操作模式：增强型MOSFET
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 200mA
箱体转运：DRAIN
功率 - 最大：800mW
场效应管类型：N-Channel
晶体管应用：SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs：600mOhm @ 2.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 200µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：557 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：600 V
Vgs（最大值）：±20V
极性/通道类型：N-CHANNEL
电压 - 齐纳（标准值）（Vz）：8.2V
JEDEC-95代码：TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻：0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：18 A
DS 击穿电压-最小值：600 V
雪崩能量等级（Eas）：133 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性：-