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单MOSFET晶体管 / IPB160N08S4-03
- 价格 起订量
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- 型号： IPB160N08S4-03
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： MOSFET N-CHANNEL 75/80V
- 库存地点： 内地
- 库存： 22358
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 表面安装：YES
- 终端数量：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Strip
- 厂商：SiTime
- Product Status：活跃
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：80 V
- Typical Turn-On Delay Time：18 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2 V
- Qualification：AEC-Q101
- Pd - Power Dissipation：208 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.056438 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：SP000989092 IPB160N08S403ATMA1
- Manufacturer：Infineon
- Brand：Infineon Technologies
- Qg - Gate Charge：112 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：2.6 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：30 ns
- Id - Continuous Drain Current：160 A
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPB160N08S4-03
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：8.64
- Drain Current-Max (ID)：160 A
- 操作温度：-20°C ~ 70°C
- 系列：SiT1602B
- 包装：MouseReel
- 尺寸/尺寸：0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
- 类型：XO (Standard)
- 子类别：MOSFETs
- 技术：Si
- 电压 - 供电 ：2.25V ~ 3.63V
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 频率：3.57 MHz
- 频率稳定性：±20ppm
- 输出量：HCMOS, LVCMOS
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PSSO-G6
- 功能：-
- 基本谐振器：MEMS
- 最大电流源：4.5mA
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 扩频带宽：-
- 上升时间：11 ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- JEDEC-95代码：TO-263
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0032 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：640 A
- DS 击穿电压-最小值：80 V
- 雪崩能量等级（Eas）：350 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 绝对牵引范围 (APR)：-
- 产品类别：MOSFET
- 座位高度(最大)：0.031 (0.80mm)
- 宽度：9.25 mm
- 高度：4.4 mm
- 长度：10 mm
- 评级结果：-
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