简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NVMFS5C670NLT1G
- 价格 起订量
- ￥ 14.54992 1+
- ￥ 13.72634 10+
- ￥ 12.94938 100+
- ￥ 12.21639 500+
- ￥ 11.52490 1000+
- 型号： NVMFS5C670NLT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
- 库存地点： 内地
- 库存： 11802
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.54992
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
- 工厂交货时间：38 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Ta 71A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.6W Ta 61W Tc
- Turn Off Delay Time：15 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- Reach合规守则：not_compliant
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6.1m Ω @ 35A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1400pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 10V
- 上升时间：60ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：71A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：440A
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：166 mJ
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NVMFS5C670NLT1G ON Semiconductor
DMN6040SFDE-7 Diodes Incorporated- NVMFS5C646NLT1G ON Semiconductor
- NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor
- NTMFS5C670NLT3G ON Semiconductor
