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单MOSFET晶体管 / NTMFS4898NFT1G
- 价格 起订量
- ¥ 6.98358 1+
- ¥ 6.58829 10+
- ¥ 6.21536 100+
- ¥ 5.86355 500+
- ¥ 5.53165 1000+
- 型号: NTMFS4898NFT1G
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 描述: MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM
- 库存地点: 内地
- 库存: 18055
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 6.98358
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-PowerTDFN, 5 Leads
- 引脚数:5
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:13.2A Ta 117A Tc
- Number of Elements:1
- Turn Off Delay Time:28 ns
- 包装:Cut Tape (CT)
- 已出版:2010
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:5
- ECCN 代码:EAR99
- 电阻:3MOhm
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-55°C
- 最大功率耗散:930mW
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:FLAT
- 引脚数量:5
- 元素配置:Single
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:73.5W
- 箱体转运:DRAIN
- 接通延迟时间:17.6 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:3m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:3233pF @ 12V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:49.5nC @ 10V
- 上升时间:23ns
- 下降时间(典型值):8.3 ns
- 连续放电电流(ID):13.2A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 漏源击穿电压:30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM):234A
- 雪崩能量等级(Eas):228 mJ
- 高度:1.1mm
- 长度:5.1mm
- 宽度:6.1mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
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