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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRF8308MTRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 21.31808 1+
- ￥ 20.11139 10+
- ￥ 18.97301 100+
- ￥ 17.89907 500+
- ￥ 16.88591 1000+
- 型号： IRF8308MTRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric MX
- 描述： MOSFET N-CH 30V 27A MX
- 库存地点： 内地
- 库存： 38658
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 21.31808
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric MX
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：27A Ta 150A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 89W Tc
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-XBCC-N3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.5m Ω @ 27A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4404pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：42nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：27A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0035Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：212A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：12 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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