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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTMFS4945NT3G
- 价格 起订量
- ￥ 2.40705 1+
- ￥ 2.27080 10+
- ￥ 2.14226 100+
- ￥ 2.02100 500+
- ￥ 1.90661 1000+
- 型号： NTMFS4945NT3G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 描述： MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL
- 库存地点： 内地
- 库存： 32365
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.40705
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN, 5 Leads
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.4A Ta 35A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：910mW Ta 19.8W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：5
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：6.5W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1205pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：17.6nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：35A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.4A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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