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单MOSFET晶体管 / IPD090N03LGATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 6.28126 1+
- ￥ 5.92572 10+
- ￥ 5.59030 100+
- ￥ 5.27387 500+
- ￥ 4.97535 1000+
- 型号： IPD090N03LGATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11
- 库存地点： 内地
- 库存： 23893
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.28126
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：42W Tc
- Turn Off Delay Time：15 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：42W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1600pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15nC @ 10V
- 上升时间：3ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：2.6 ns
- 连续放电电流(ID)：40A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：280A
- 雪崩能量等级（Eas）：70 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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