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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQPF2N60
- 价格 起订量
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- 型号： FQPF2N60
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F
- 库存地点： 内地
- 库存： 647
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 晶体管元件材料：SILICON
- Power Dissipation (Max)：28W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：QFET®
- 已出版：2000
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流：600V
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：1.6A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：28W
- 箱体转运：ISOLATED
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.7 Ω @ 800mA, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：350pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11nC @ 10V
- 上升时间：25ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：25 ns
- 连续放电电流(ID)：1.6A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2A
- 漏源击穿电压：600V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：8A
- 雪崩能量等级（Eas）：120 mJ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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