简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQPF3N60
- 价格 起订量
- ￥ 4.74536 1+
- ￥ 4.47675 10+
- ￥ 4.22335 100+
- ￥ 3.98429 500+
- ￥ 3.75877 1000+
- 型号： FQPF3N60
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
- 库存地点： 内地
- 库存： 200100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.74536
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Power Dissipation (Max)：34W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Tc
- 已出版：2000
- 系列：QFET®
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：600V
- 额定电流：2A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：34W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.6 Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：450pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13nC @ 10V
- 上升时间：30ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：30 ns
- 连续放电电流(ID)：2A
- 阈值电压：5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：600V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FQPF3N60 ON Semiconductor
STP4N52K3 STMicroelectronics
STF2N62K3 STMicroelectronics
STP3NK60ZFP STMicroelectronics- FQPF4N50 ON Semiconductor
