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单MOSFET晶体管 / FDS6680
- 价格 起订量
- ￥ 9.11284 1+
- ￥ 8.59702 10+
- ￥ 8.11039 100+
- ￥ 7.65131 500+
- ￥ 7.21822 1000+
- 型号： FDS6680
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET, N, SO-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 10200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.11284
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：130mg
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：36 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2011
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- 电阻：17mOhm
- 电压 - 额定直流：30V
- 额定电流：11.5A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：2.5W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10m Ω @ 11.5A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2070pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：27nC @ 5V
- 上升时间：10ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：11.5A
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 栅源电压：1.7 V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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