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单MOSFET晶体管 / FDS6682
- 价格 起订量
- ￥ 5.29758 1+
- ￥ 4.99771 10+
- ￥ 4.71483 100+
- ￥ 4.44795 500+
- ￥ 4.19618 1000+
- 型号： FDS6682
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOIC
- 描述： Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.29758
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：SOIC
- 引脚数：8
- 质量：130mg
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：44 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：7.5MOhm
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：1W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：14A
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5mW
- 接通延迟时间：10 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：7ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：16 ns
- 连续放电电流(ID)：14A
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 输入电容：2.31nF
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：5.7mOhm
- 最大rds：7.5 mΩ
- 栅源电压：1.7 V
- 高度：1.5mm
- 长度：5mm
- 宽度：4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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