图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / FDMS86550ET60
- 价格 起订量
- ¥ 59.37200 1+
- ¥ 56.01132 10+
- ¥ 52.84087 100+
- ¥ 49.84988 500+
- ¥ 47.02819 1000+
- 型号: FDMS86550ET60
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: 8-PowerTDFN
- 描述: MOSFET N-CH 60V POWER56
- 库存地点: 内地
- 库存: 350000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 59.37200
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间:12 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-PowerTDFN
- 引脚数:8
- 质量:56.5mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:32A Ta 245A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):8V 10V
- Power Dissipation (Max):3.3W Ta 187W Tc
- Turn Off Delay Time:42 ns
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:PowerTrench®
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- Reach合规守则:not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 通道数量:1
- 元素配置:Single
- 接通延迟时间:43 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:1.65m Ω @ 32A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:8235pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:154nC @ 10V
- 上升时间:27ns
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):11 ns
- 连续放电电流(ID):245A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 漏源击穿电压:60V
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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