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单MOSFET晶体管 / NTMFS5C604NLT1G
- 价格 起订量
- ￥ 19.42465 1+
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- ￥ 17.28787 100+
- ￥ 16.30931 500+
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- 型号： NTMFS5C604NLT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 描述： ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C604NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 60 V, 0.00093 ohm, 10 V, 2 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 156
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 19.42465
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
- 包装/外壳：8-PowerTDFN, 5 Leads
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.9W Ta 200W Tc
- Turn Off Delay Time：60.3 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：38A Ta
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.9W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：32.9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.2m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8900pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：120nC @ 10V
- 上升时间：79.1ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：81.3 ns
- 连续放电电流(ID)：40A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：276A
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：900A
- 雪崩能量等级（Eas）：776 mJ
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 宽度：4.9mm
- 长度：5.9mm
- 高度：1.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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