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单MOSFET晶体管 / IRFHS8242TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 4.02971 1+
- ￥ 3.80161 10+
- ￥ 3.58643 100+
- ￥ 3.38342 500+
- ￥ 3.19191 1000+
- 型号： IRFHS8242TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-PowerVDFN
- 描述： MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.02971
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-PowerVDFN
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9.9A Ta 21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.1W Ta
- Turn Off Delay Time：5.4 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：13MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.1W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：6.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：13m Ω @ 8.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：653pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10.4nC @ 10V
- 上升时间：19ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.3 ns
- 连续放电电流(ID)：9.9A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5A
- 漏源击穿电压：25V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：84A
- 栅源电压：1.8 V
- 高度：950μm
- 长度：2.1mm
- 宽度：2.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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