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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / IRLHS6276TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 4.90009 1+
- ￥ 4.62272 10+
- ￥ 4.36106 100+
- ￥ 4.11421 500+
- ￥ 3.88133 1000+
- 型号： IRLHS6276TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-VQFN
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 22222
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.90009
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-VQFN
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：10 ns
- Number of Elements：2
- 已出版：2011
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：45MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1.5W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：IRLHS6276PBF
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.5W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：4.4 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：45m Ω @ 3.4A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：310pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.1nC @ 4.5V
- 上升时间：9.3ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：4.9 ns
- 连续放电电流(ID)：4.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4A
- 漏源击穿电压：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：800 mV
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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