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MOSFETs 晶体管阵列 / IRFHS9351TRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 8.48988 500+
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- 型号： IRFHS9351TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-VQFN Exposed Pad
- 描述： INFINEON IRFHS9351TRPBF Dual MOSFET, Dual P Channel, -5.1 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.8 VNew
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.11158
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-VQFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：6.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：1.4W
- 基本部件号：IRFHS9351PBF
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.4W
- 接通延迟时间：8.3 ns
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：170m Ω @ 3.1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 10μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：160pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.7nC @ 10V
- 上升时间：30ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：7.9 ns
- 连续放电电流(ID)：2.3A
- 阈值电压：-1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.1A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.17Ohm
- 漏源击穿电压：-30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：-1.8 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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